- パワー半導体材料SiC(炭化ケイ素)の 研磨効率を大幅に向上させる技術を開発 ~小型・省エネルギー型電力制御機器の低コスト化に期待~
- 立命館大学広報課
- 立命館大学理工学部機械工学科2020年度卒業生Che Nor Syahirah Binti Che Zulkifleさん、理工学研究科博士課程前期課程機械システム専攻2回生の巴山顕真さん、および村田順二准教授の研究グループは、パワー半導体材料であるSiC(炭化ケイ素)の高効率研磨技術の開発に成功しました。本研究成果は、2021年11月6日にElsevier社の「Diamond and Related Materials」に掲載されました。【本件のポイント】・パワー半導体材料SiCの研磨効率を約10倍(※)に向上させる加工技術を新たに開発・従来技術と比べて、より短い時間で1ナノメートル以下の優れた表面粗さを達成可能・薬液を必要としない研磨液により環境負荷を低減※従来法の化学機械研磨と同等の加工条件での比較プレスリリース全文は、以下をご覧ください。
- プレスリリース全文